In der Elektronik zählen die weitere Miniaturisierung und eine höhere Integration zu den relevanten Trends. Dank der erfolgreichen Entwicklung der EUV-Lithographie lässt sich das Mooresche Gesetz mit noch kleineren Strukturen fortsetzen. Für die Umsetzung und Evaluierung dieser Technologie entwickeln die Experten des Fraunhofer ILT die notwendigen Strahlquellen und die entsprechende Messtechnik.
Neben der Strukturerzeugung auf Nanometerskala spielt die Aufbau- und Verbindungstechnik für leistungsfähige Elektronikkomponenten eine entscheidende Rolle. Die steigenden Anforderungen nach höherer Integrationsdichte und höheren Einsatztemperaturen bei gleichzeitig höherer Robustheit werden am Fraunhofer ILT mit neuen Verschaltungstechnologien bedient, die sowohl im Backend- als auch Leistungsbereich elektronischer Komponenten Einsatz finden. Dies gilt insbesondere für die E-Mobility, bei der hohe Stromtragfähigkeit mit kleinem Bauraum gekoppelt ist. Gemeinsam mit Industriepartnern werden am Fraunhofer ILT neue Verbindungstechniken für die Batteriekontaktierung und IGBT-Leistungsbauteile entwickelt, die in leistungsfähige Fertigungssysteme integriert werden.
Weitere Kompetenzen des Fraunhofer ILT liegen in der Strukturierung und Funktionalisierung von Oberflächen sowie in der 3D-Volumenstrukturierung. So lassen sich durch selektives Laser-Ätzen mikroskopische Strukturen in Glas- oder Saphir-Substrate einbringen, mit denen mikrofluidische Systeme für biochemische Analysen realisiert werden.